БСИТ

БСИТ (Биполярный транзистор со статической индукцией; англ. BSIT, Bipolar Static Induction Transistor) — мощный высокочастотный полупроводниковый прибор с вертикальной многоканальной структурой. БСИТ не является русскоязычным синонимом IGBT (БТИЗ), тем не менее, близок к ним по свойствам. Выпускаемые образцы БСИТ уступают лучшим современным образцам IGBT по энергетическим характеристикам.

Обладает преимуществами, по сравнению с биполярными транзисторами: более высокими граничной частотой и коэффициентом усиления.

Применяется в быстродействующих ключевых схемах и импульсных источниках питания. Среднее время переключения составляет 250—150 нс.

Максимальное допустимое напряжение Сток-Исток для некоторых моделей достигает 900 В.

Изобретён во второй половине 70-х годов.

Источник: Википедия

а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ э ю я