Омический контакт

Оми́ческий конта́кт — контакт между металлом и полупроводником или двумя разнородными полупроводниками, характеризующийся линейной и симметричной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ асимметрична и нелинейна, то контакт в той или иной мере является выпрямляющим (например, является контактом с барьером Шоттки, на основе которого создан диод Шоттки). В модели барьера Шоттки, выпрямление зависит от разницы между работой выхода металла и электронного сродства полупроводника.

Однако на практике, в большинстве случаев, контакты металл-полупроводник не следуют точно модели Шоттки, так как наличие внешних поверхностных состояний на границе раздела металла и полупроводника (например, плёнки и частицы оксидов и дефекты кристаллической структуры) может сделать поведение контакта практически не зависящим от разницы между работой выхода металла и электронного сродства полупроводника к электрону. В производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, для создания омического контакта, подконтактную область полупроводника дополнительно сильно легируют (например, применяют повышенное легирование донорной примесью пластин кремния n-типа при применении алюминия в качестве металла в контакте, сильно легированный слой кремния обозначается n+). При этом толщина области пространственного заряда барьера Шоттки становится настолько малой, что через неё возможно туннелирование носителей заряда (полевая эмиссия). Такие сильно легированные области структуры обычно обозначают p+ — для полупроводника с дырочным типом проводимости и n+ — полупроводника с электронной проводимостью.

Источник: Википедия